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厂商型号

IPB65R280E6ATMA1 

产品描述

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内部编号

173-IPB65R280E6ATMA1

#1

数量:0
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美国加州
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IPB65R280E6ATMA1产品详细规格

规格书 IPB65R280E6ATMA1 datasheet 规格书
安装风格 SMD/SMT
配置 Single
典型关闭延迟时间 76 ns
源极击穿电压 30 V
连续漏极电流 13.8 A
系列 XPB65R280
RDS(ON) 0.25 Ohms
封装 Reel
功率耗散 104 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-263-3
栅极电荷Qg 45 nC
零件号别名 SP000795274
上升时间 9 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 700 V
下降时间 9 ns
工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
宽度 9.25 mm
Qg - Gate Charge 45 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
商品名 CoolMOS
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 13.8 A
长度 10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 280 mOhms
身高 4.4 mm
典型导通延迟时间 11 ns
Pd - Power Dissipation 104 W
技术 Si

IPB65R280E6ATMA1系列产品

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